삼성전자 16GB DDR5 D램(12나노급)양산 시작

12나노급 공정으로 16GB DDR5 D램양산 시작

삼성전자가 업계에서 가장 빠르게 12나노급 공정으로 16GB DDR5 D램양산 시작하였다. (5월 18일)

<삼성전자 반도체 제로라인 모습, 출처 :삼성전자>

사양

최고 동작 속도 7.2Gbps(기가비트퍼세컨드)를 지원한다. 이는 1초에 30GB(기가바이트) 용량의 울트라HD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도

 

효과

이전 세대보다 생산성이 약 20% 향상되고, 소비 전력은 약 23% 개선,  D램 시장 주도권을 확보,  챗GPT를 비롯한 인공지능(AI) 서버 시장이 확대되면서 대폭 증가할 차세대 칩 수요에 대응하기 위해, 첨단 기술이 적용된 D램을 선제적으로 출시했다는 분석. 

서버 시장의 주력 제품이 DDR4에서 DDR5로 이동하고 있기 때문

 

완성과정

반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터 용량을 늘렸다. D램의 커패시터(전기를 일시적으로 저장) 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성

 

검증

지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고 글로벌 IT기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인(제품 개발 공개한지 5개월 만)

 

 

경쟁사 상황

D램 시장 2위인 SK하이닉스는 업계에서 가장 먼저 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램의 인증